BJT, FET, MOSFET 간단 설명

그림1. 좌 BJT, 우 FET

Transistor는 수도밸브 역할을 하는 소자입니다.

트랜지스터의 간단 설명 링크 → [info/전기] - 트랜지스터 간단 설명

트랜지스터 중 BJT, FET, MOSFET에 대해 간단히 요약했습니다. 아랫글을 이해하실 때, 전자와 전류의 흐름은 반대로 정의되어 있다는 것을 참고하셔야 합니다.

1. BJT (Bipolar Junction Transistor)

n형, p형의 반도체를 2개(bi-) 접합시켜 만든 트랜지스터이며, Base, Collector, Emitter로 이루어져 있습니다.

BJT는 전류에 의해 제어됩니다.

Base, Emitter의 전류에 의해 Emitter의 캐리어(전자, 정공)가 Base로 이동하는데, 상대적으로 높은 전압이 걸린 Collector로 많은 전자가 이동합니다.

결국 Collector에서 Emitter 로 전류가 흐르게 됩니다.

2. FET (Field Effect Transistor)

전계효과를 이용한 트랜지스터이며, Gate, Drain, Source로 이루어져 있습니다.

FET는 전압에 의해 제어됩니다.

FET는 Gate 전압에 의해 N과 P의 접합부에 공핍층이 발생하여 Channel의 폭이 변화로, 흐르는 전류가 제어 됩니다.

통신기기에서는 RF(Radio Frequency) 감도때문에 BJT보다는 Noise를 덜 발생시키는 FET를 주로 사용합니다.

3. MOSFET (Metal Oxide FET)

FET의 Gate에 절연체를 추가한 것입니다. Insulated Gate FET(IGFET)라고도 합니다.

절연체는 Gate로 전류가 흐르는 것을 막고 Input Impedence를 높게 만드는 역할을 합니다.

MOSFET는 공핍형과 증가형으로 나뉩니다.

공핍형(Depletion Type)

Default로 ON 으로 되어 있는 상태입니다.

물리적으로 미리 심어진 채널(implanted channel)을 갖고 있는 구조

증가형(Enhacement Type)

Default로 OFF 로 되어 있는 상태입니다.

동작하기 위해 채널을 유기해야 합니다.(게이트 전압이 문턱전압보다 높기 때문에)

상용적으로 사용하며 합니다.

공핍형, 증가형 MOSFET은 다시 nMOS, pMOS로 각각 나뉩니다.

nMOS(npn)

소스와 드레인은 N형 영역으로써 전자가 다수 캐리어이고, 두 영역의 사이에는 P형 영역으로써 정공이 다수 캐리어입니다.

따라서, n채널을 갖습니다.

pMOS(pnp)

nMOS의 반대입니다.

다음은 트랜지스터를 이해하는데 도움되는 동영상입니다.

모스펫 자세한 설명 - http://blog.skhynix.com/2180